加热器 半导体晶圆制造过程中CVD、Etch工艺的SEMI设备的主要组成部分。 核心技术是在与加热器接触时在硅片表面提供一致的热量

CVD 制程

PVD制程

ASHING制程：

目前的灰化处理方法一般采用含氧气体例如o2/n2的等离子体增强灰化处理进行光刻胶或碳层的移除，由于该处理过程中需要将晶片加热到200℃～300℃，很容易使硅衬底或底电极表面氧化，进而需要再通过干法或湿法清洁处理以去除氧化层。但这样的方式会增加电阻，造成rc延迟，进而影响器件性能。

此外，灰化处理机台通常分为两种传送方式，即atm(atmospheretransfermodule)传送和vtm(vacuumtransfermodule)传送，在以atm机台进行灰化处理制程时，由于制程前的升温过程以及制程后的降温过程中，晶片都会与大气接触，从而使晶片表面氧化而影响其性能。

ASHING 制程目的之一是克服现有技术中的至少一种缺陷，提供一种半导体器件的制备方法，包括移除半导体衬底表面的蚀刻残留物的灰化制程，该方法可抑制衬底表面在升温时易被氧化，以及高温衬底与大气接触易被再次氧化的问题，同时相比于传统的灰化制程，具有较强的残留物移除的能力。

为了实现上述目的，如下技术方案：

半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底包括图形层和位于图形层上的待移除层；在真空状态下移除待移除层，包括：

对半导体衬底执行第一控温制程；对执行第一控温制程后的半导体衬底执行第二控温制程；对执行第二控温制程后的衬底执行冷却制程；其中，移除待移除层包括采用还原性气体氛围。

实施方式，还原性气体选自氨气、氢气、氨气与惰性气体的混合物或氢气与惰性气体的混合物，惰性气体可以为氮气。

根据本公开的一个实施方式，还包括：

在第一真空度下执行第一控温制程；

在第二真空度下执行第二控温制程；

在第三真空度下执行冷却制程；

其中，第一真空度大于第二真空度，第二真空度大于第三真空度。

实施方式，第一真空度下的气压为0mtorr～100mtorr，第二真空度下的气压为600mtorr～1500mtorr，第三真空度下的气压为800mtorr～2000mtorr。

实施方式，第一控温制程的温度不超过80℃。

实施方式，第二控温制程包括升温制程和恒温制程，衬底经升温制程达到200℃～300℃的温度后，执行恒温制程。

实施方式，冷却制程包括：通入惰性气体对衬底执行冷却制程，冷却制程后的衬底温度不超过60℃，惰性气体可以为氮气

光刻制程

在集成电路制造中，关键尺寸(criticaldimension,cd)的大小主要取决于光刻工艺。随着器件尺寸的缩小，光刻需要波长更短的紫外光及与之相兼容的光刻胶。在248nm和193nm光刻工艺中，当将光刻胶覆于如氮化硅、氮氧化硅等介质层材料表面时，曝光区域的光刻胶常常不能完全反应，显影后形成底部站脚(footing)结构，影响关键尺寸。

底部站脚一般由于光刻胶与介质层的酸碱不平衡所致，当前解决该问题的方法是在介质层上先制备一层有机底部抗反射层barc(bottomantireflectivecoating)或增粘剂hmds(hexamethyldisilazane)，在提高抗反射效果或增加光刻胶的黏附性的同时避免光刻胶与介质层直接接触。但该方法不仅会增加一道旋涂工艺，而且曝光后还需要通过刻蚀将barc或hmds除去，工艺复杂