半导体、FPD、MEMS、太阳能和其他应用的原型制作流程。
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| 基材 | 薄膜 | 离子注入 |
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| 光刻&蚀刻 | 化学机械研磨加工 | 晶圆键合 |
薄膜
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
| 绝缘层形成 | 热氧化 | ≦10µm | Φ2" 至 Φ300 |
| 化学气相沉积 | SiO 2、PSG、NSG等 | Φ4"、Φ5" | |
| 低压化学气相沉积 | 多晶硅等 | Φ2" 至 Φ4", Φ6" | |
| 化学气相沉积 | SiO 2、SiN、a-Si等 | Φ2" 至 Φ8" | |
| 金属和绝缘层形成 | 溅射 (PVD) | 金属、合金、氧化物、氮化物、特殊材料等 | Φ2"至Φ450、≤650×950 |
| 蒸发 | 金属、合金、氧化物、氮化物、特殊材料等 | Φ2" 至 Φ300, ≤300 x 360 | |
| 电镀/化学镀 |
电镀：Ni、Cu、Au、SnAg 无电镀：Ni、Cu、Au |
≤Φ8"，方形 |
图案化
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
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光刻工艺 （抗蚀剂涂覆、曝光、显影） |
旋涂 | 正性光刻胶、负性光刻胶 | Φ2" 至 Φ8" |
| 接触式对准器 | 能力：>3μm | Φ2" 至 Φ8" | |
| 双面矫正器（G线） | 能力：>1μm | Φ4" | |
| 步进器（i 线） | 能力：>0.5μm | Φ4"、Φ6" | |
| 纳米压印 | 压印抗蚀剂（纳米级） | 询问详情 | |
| 电子束光刻 | 能力：>50nm | ≤Φ6" | |
| 升空 | 升空 | 能力：>5μm | Φ2" 至 Φ8" |
蚀刻
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
| 干法蚀刻 | 平行板RIE | 硅蚀刻、石英蚀刻 | Φ2" 至 Φ8" |
| ICP-RIE | 硅蚀刻、石英蚀刻 | Φ4"、Φ6" | |
| 硅深反应离子刻蚀 | Si（通孔） | Φ2" 至 Φ6" | |
| 牺牲层蚀刻 | 硅、二氧化硅 | Φ2" 至 Φ6" | |
| 金属蚀刻 | 铝、铝系 | Φ2" 至 Φ4" | |
| 湿法蚀刻 | 四甲基氢氧化铵、氢氧化钾 | 选择合适的 | Φ2" 至 Φ8" |
| 高频 | Φ2" 至 Φ8" | ||
| 各种金属层蚀刻 | Φ2" 至 Φ8" |
离子注入
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
| 离子注入 |
中流离子注入 高能离子注入 |
可以使用 60 多种元素进行掺杂 | Φ3" 至 Φ6" |
| 退火 | 高能高速退火 | 加热温度最高1800℃ | ≤Φ8" |
粘合
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
| 晶圆键合 | 阳极键合 | 粘合玻璃和硅 | ≤Φ8" |
| 表面活化粘合 | 可将不同材料粘合在一起 | 询问详情 |
抛光
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
| 晶圆键合 | 化学机械抛光 |
金属：Au、Pt、Cu等 氧化物：TEOS、SiO 2等 |
Φ2" 至 Φ300，方形 |
分析
| 类型 | 方法、设备 | 评论 | 基材尺寸 |
|---|---|---|---|
| 表面分析 | SIMS、ESCA、TEM 等 | 各类合同分析服务 | 询问详情 |
| 显微镜观察非常小的区域的形状 | |||
| 热分析 |
客服1